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| 2006年度国家科技进步一等奖获奖项目 高端硅基SOI材料研发和产业化 | |
| 摘 要： | 获奖单位:中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海新傲科技有限公司获奖人:王曦林成鲁张苗陈猛俞跃辉张峰李炜宋志棠张正选刘卫丽王连卫林梓鑫陈静李守臣项目简介:绝缘体上硅(SOI)技术被国际上公认为二十一世纪的硅集成电路技术,是微电子和光电子领域发展的前沿。同时,SOI技术具有抗辐射独特优越性,是微电子敏感核心技术。该项目从国家的需求出发,在863,973等重大研究计划的支持下,历经二十余年的努力,突破和 |
| 关 键 词： | 信息技术研究 高端 产业化 国家科技进步 绝缘体上硅 硅基 微电子 研发 获奖项目 中国科学院 |
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