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一种新型C频段高效率移相GaN功率放大器
引用本文:梁勤金,董四华,郑强林,余 川. 一种新型C频段高效率移相GaN功率放大器[J]. 国际商务研究, 2013, 53(5)
作者姓名:梁勤金  董四华  郑强林  余 川
作者单位:中国工程物理研究院 应用电子学研究所 高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050002;中国工程物理研究院 应用电子学研究所 高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900;中国工程物理研究院 应用电子学研究所 高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621900
摘    要:研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30 W,带宽10 MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化、高效率、高功率密度、高击穿电压特性,是一种目前国内外尚无类似集成设计的最新高性能氮化镓(GaN)功率放大器模块。因其功放模块输出末级采用了美国Cree公司第三代宽禁带GaN功放管优化设计,实现了固态C频段高效率功率输出。

关 键 词:固态功率放大器;C频段GaN功率放大器;高效率;宽禁带GaN器件

A new C-band phase shifted high efficiency GaN power amplifier
LIANG Qin-jin,DONG Si-hu,ZHENG Qiang-lin and YU Chuan. A new C-band phase shifted high efficiency GaN power amplifier[J]. International Business Research, 2013, 53(5)
Authors:LIANG Qin-jin  DONG Si-hu  ZHENG Qiang-lin  YU Chuan
Abstract:
Keywords:
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