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| 低压低功耗集成电路: SOI技术的新机遇 | |
| 作者姓名： | 张兴 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学 |
| 摘 要： | 就热载流子效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅ＣＭＯＳ器件进行比较。并阐述薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术是低压低功耗集成电路的理想技术。 |
| 关 键 词： | 低压低功耗 SOI 体硅 CMOS |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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