| 共溅射磁控溅射法制备AlN:Er薄膜的XPS和PL研究 |
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| 引用本文： | 胡亚华,张勇. 共溅射磁控溅射法制备AlN:Er薄膜的XPS和PL研究[J]. 嘉兴学院学报, 2010, 22(6). DOI: 10.3969/i.issn.1008-6781.2010.06.012 |
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| 作者姓名： | 胡亚华 张勇 |
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| 摘 要： | 采用共溅射磁控溅射方法,以Al+Er为靶材,通过Er和Al靶的面积比来控制Er在AlN中的含量,在Si衬底上制备出AlN:Er薄膜.XRD分析结果表明,样品为非晶态.XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量被控制在1atm%左右,氧不可避免.光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征.其中,尖荧光峰谱源于Er3+的4f轨道直接激发跃迁;而宽谱则可能与Er3+的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关.
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| 关 键 词： | 共溅射磁控溅射 AlN:Er XPS PL |
Studies of XPS and PL in the Preparation of Er Doped AlN Film by Using Co-sputtering Magnetron Sputtering Method |
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| HU Ya-hua,ZHANG Yong. Studies of XPS and PL in the Preparation of Er Doped AlN Film by Using Co-sputtering Magnetron Sputtering Method[J]. Journal of Jiaxing College, 2010, 22(6). DOI: 10.3969/i.issn.1008-6781.2010.06.012 |
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| Authors: | HU Ya-hua ZHANG Yong |
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