半导体硅技术发展的新方向──SiGe／Si异质结器件期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

半导体硅技术发展的新方向──SiGe／Si异质结器件

作者姓名：	邹德恕陈建新

作者单位：	北京工业大学

摘要：	简述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的基本原理，锗硅合金的基本性质，及发展现状。
关键词：	SiGe应变层，能带工程，异质结
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