| 用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能 |
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| 引用本文： | 冯高明[,] 刘波 吴良才 宋志棠 封松林 陈宝明.用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能[J].中国零售业,2002,28(7):1134-1138. |
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| 作者姓名： | 冯高明[ ] 刘波 吴良才 宋志棠 封松林 陈宝明 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所纳米技术实验室,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100049 [3]美国硅存储技术公司,加州94086 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划（批准号：2006CB302700）,国家高技术研究发展计划（批准号;2006AA032360）,中国科学院（批准号：Y2005027）和上海市科委（批准号;05JC14076,0552nm043,AM0517,06QA14060,06XD14025,0652nm003,06DZ22017）资助项目 |
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| 摘 要： | 为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过疲劳特性测试分析了器件失效的原因.结果表明,W亚微米管具有良好的电学稳定性和疲劳特性,为降低C-RAM器件的操作电流提供了一种非常有效的途径.
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| 关 键 词： | 相变存储器 W亚微米管加热电极 电学性能 疲劳特性 |
| 收稿时间： | 12 19 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 02 8 2007 12:00AM |
Properties of W Sub-Microtube Heater Electrode Used for Phase Change Memory |
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| Authors: | Feng Gaoming Liu Bo Feng Songlin Wu Liangcai Song Zhitang Chen Bomya |
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| Institution: | 1 Laboratory of Nanotechnology, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;2 Graduate University, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;3 Silicon Storage Technology Inc., Sunnyvale, CA 94086, USA |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | phase change memory W sub-micron tube electrical performance fatigue behaviour |
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