| 射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真 |
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| 引用本文： | 陈卫军,马里剑,张海鹏,余厉阳,吕韶义.射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真[J].国际商务研究,2009,49(3). |
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| 作者姓名： | 陈卫军 马里剑 张海鹏 余厉阳 吕韶义 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学RF电路与系统省部共建教育部重点实验室,杭州,310018
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，浙江省自然科学基金? |
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| 摘 要： | 简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物一半导体(SOI LDMOS)电路模型.根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真.该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计.结果表明放大器的增益达到15 dB,输出功率达到25 dBm,功率附加效率大于40%.
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| 关 键 词： | 射频功率放大器 计算机辅助设计与仿真 负载牵引法 |
Design and Simulation of RF SOI LDMOS Power Amplifier |
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| CHEN Wei-jun,MA Li-jian,ZHANG Hai-peng,YU Li-yang.Design and Simulation of RF SOI LDMOS Power Amplifier[J].International Business Research,2009,49(3). |
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| Authors: | CHEN Wei-jun MA Li-jian ZHANG Hai-peng YU Li-yang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOILDMOS |
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