GaN基蓝光LED Efficiency droop研究进展

GaN基LED具有高亮度、低能耗、寿命长、响应速度快等优良特性,在固态照明、液晶背光源、全色显示等领域有着广泛的应用。在大电流驱动时维持高效率,是LED提升亮度和降低成本的关键,但是LED的效率却会随着电流上升而减弱,即Efficiency droop。Efficiency droop的产生机理主要有俄歇复合(Auger recombination)、载流子泄漏(Carrier leakage)、结的热效应(Junction heating)和载流子的离域化(Carrier delocalization)等,其中俄歇复合和载流子泄露是两个主流观点。本文详述了改善Efficiency droop的研究进展,指出适当加宽量子阱、采用极化匹配的量子阱垒结构、电子阻挡层或In Ga N量子垒、调整量子垒的掺杂分布、减薄量子垒等,能有效减弱Efficiency droop,提高大电流下LED的光效。