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单色光LED 及其应用研究
引用本文:李春茂.单色光LED 及其应用研究[J].高科技与产业化,2009,5(2):105-107.
作者姓名:李春茂
作者单位:华南理工大学电力学院
摘    要:最近几年高亮度AlGaInP 和InGaN LED 的研制进展非常迅速,已经达到常规材料GaAlAs、GaAsP、GaP 难以达到的性能水平。1991 年日本东芝公司和美国HP 公司研制成InGaAlP 620nm 橙色超高亮度LED,1992 年InGaAlP 590nm 黄色超高亮度LED 实用化。同年,东芝公司研制InGaAlP 573nm 黄绿色超高亮度LED,法向光强达2cd。1994 年日本日亚公司研制成InGaN 450nm 蓝(绿)色超高亮度LED。至此,彩色显示所需要的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED 都达到了坎德拉级的发光强度,实现了超高亮度化、全色化,使发光管的户外全色显示成为现实。

关 键 词:超高亮度LED  应用  单色光  高亮度发光二极管  GaN材料  交通信号灯  发射波长  发光颜色
收稿时间:2009-02-18
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