摘 要: | 最近几年高亮度AlGaInP 和InGaN LED 的研制进展非常迅速,已经达到常规材料GaAlAs、GaAsP、GaP 难以达到的性能水平。1991 年日本东芝公司和美国HP 公司研制成InGaAlP 620nm 橙色超高亮度LED,1992 年InGaAlP 590nm 黄色超高亮度LED 实用化。同年,东芝公司研制InGaAlP 573nm 黄绿色超高亮度LED,法向光强达2cd。1994 年日本日亚公司研制成InGaN 450nm 蓝(绿)色超高亮度LED。至此,彩色显示所需要的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED 都达到了坎德拉级的发光强度,实现了超高亮度化、全色化,使发光管的户外全色显示成为现实。
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