树脂除碳技术在超纯三氯氢硅提纯工艺中的应用

三氯氢硅的合成过程中会引入碳杂质,在多晶硅和作为硅源的硅外延片生产中很容易发生沉积,形成晶格点缺陷,从而影响半导体材料的性能。高纯三氯氢硅中碳杂质主要以甲基二氯硅烷形式存在,而甲基二氯硅烷沸点与三氯氢硅接近,依靠单纯的精馏法很难去除。文章重点介绍普通精馏法、吸附法、反应精馏法等几种三氯氢硅除碳方法,经过对比分析,精馏与树脂吸附相结合是目前比较有效的三氯氢硅除碳工艺。