|
|||||
|
|
| 半导体材料的发展现状 | |
| 引用本文： | 武文.半导体材料的发展现状[J].民营科技,2018(2). |
| 作者姓名： | 武文 |
| 作者单位： | 兰州职业技术学院机电一体教研室; |
| 摘 要： | 在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |