不同折射率对N型单晶硅太阳电池电性能的影响 |
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引用本文: | 李永超,崔景光.不同折射率对N型单晶硅太阳电池电性能的影响[J].科技转让集锦,2011(17):83-83. |
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作者姓名: | 李永超 崔景光 |
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作者单位: | 英利绿色能源有限公司,河北保定071000 |
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摘 要: | 用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,通过改变SiH4]/NH3:H2]的流量比沉积氮化硅薄膜。用椭偏仪测量氮化硅薄膜的厚度、折射率。研究了N型单晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的电性能。
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关 键 词: | 单晶硅 太阳电池 PECVD 氮化硅 折射率 |
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