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不同折射率对N型单晶硅太阳电池电性能的影响
引用本文:李永超,崔景光.不同折射率对N型单晶硅太阳电池电性能的影响[J].科技转让集锦,2011(17):83-83.
作者姓名:李永超  崔景光
作者单位:英利绿色能源有限公司,河北保定071000
摘    要:用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法,通过改变SiH4]/NH3:H2]的流量比沉积氮化硅薄膜。用椭偏仪测量氮化硅薄膜的厚度、折射率。研究了N型单晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的电性能。

关 键 词:单晶硅  太阳电池  PECVD  氮化硅  折射率
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