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| 高精度带隙基准电压源设计 | |
| 引用本文： | 区家杰,高添贵.高精度带隙基准电压源设计[J].科技与企业,2011(9):149-150. |
| 作者姓名： | 区家杰 高添贵 |
| 作者单位： | 佛山市南海华林电力电器安装有限公司,广东佛山,528000 |
| 摘 要： | 带隙基准电压源采用0．18umCMOS工艺设计，分析并计算电路的电源抑制，由一个NMOS管和一个PMOS管构成的减法器的引入有效地提高电路的电源抑制。基于Hspice仿真，电源电压为1．8V，电源抑制达到113dB。在-40℃-120℃温度范围内，输出电压变化1．3mV，温度系数为6．5ppm／℃，输出电压为1．24V，功耗仅为112uW。 |
| 关 键 词： | 电源抑制 CMOS 带隙基准 |
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