氧化锌薄膜的掺杂及性能研究

Zn O作为一种新型宽禁带半导体材料,不仅原料丰富、无毒,而且光电性、压电性、气敏性等性能优异,容易实现掺杂。Zn O薄膜及其掺杂所具有的诸多特性,使其在太阳能电池、发光二极管、激光二极管、紫外探测器等领域有极大的研究价值,尤其是p型掺杂的实现大大拓宽了其应用的领域。