| 理想状态下的透明异质结p-CuSCN/n-ZnO的光电特性研究 |
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| 引用本文： | 熊超,顾翼凌,袁洪春,肖进,常成,冯龙文.理想状态下的透明异质结p-CuSCN/n-ZnO的光电特性研究[J].海峡科技与产业,2016(3):25-29. |
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| 作者姓名： | 熊超 顾翼凌 袁洪春 肖进 常成 冯龙文 |
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| 作者单位： | 常州工学院新能源工程系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金“基于微观缺陷与核外电子行为研究异质结界面特性对CZTS薄膜太阳能电池光电特性的影响”(课题批准号61540071)的阶段成果；江苏省自然科学项目“三维极薄吸收层Ti O2/ Cu2ZnSn(S;Se)4太阳能电池的制备及其性能研究”(项目号 BK20141167)阶段成果。 |
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| 摘 要： | 本文运用能带理论与载流子扩散模型~1-2]推导出理想状态下p-Cu SCN/n-Zn O透明异质结的能带结构及无光照条件下的J-V特性表达式,并以此来对p-Cu SCN/n-Zn O的J-V特性曲线进行研究。研究结果表明:Cu SCN与Zn O两者的禁带宽度相差较小,这导致理想状态下遵循普通扩散模型和Anderson扩散模型1]载流子运输机制运动的载流子数量极其有限,Zn O的掺杂浓度会对p-Cu SCN/n-Zn O异质结反向饱和电流密度~3]产生影响,p-Cu SCN/n-Zn O异质结的内建势垒大小受到两者掺杂浓度的影响。温度的变化会影响p-Cu SCN/n-Zn O异质结的反向饱和电流密度~3]的大小,温度和价带带阶的变化都会使得p-Cu SCN/n-Zn O异质结的内建势垒产生变化。
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| 关 键 词： | 硫氰酸亚铜 氧化锌 紫外光 伏安 |
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