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| GaNP-N结型LED研制成功 | |
| 作者单位： | 国家科委863计划协调处 |
| 摘 要： | 中国科学院半导体研究所利用低压OVPE技术,分别在α-Al_2O_3和另一种氧化附底上成功地试制出P-N结型GaN LED。室温正向偏置下,观察到兰紫色发光。发光波长在420nm左右,半峰宽(FWHM)约45nm。用这种氧化物衬底,在解理、晶格匹配和机加工等方面均优 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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