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321.
基于0.13 μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化电感,降低了LNA噪声。实测结果表明,在1.6 V偏置条件下,该LNA在20 GHz的噪声系数等于1.94 dB,输入1 dB压缩点等于-29.6 dBm;18~21.3 GHz频率范围内,LNA增益大于23.3 dB,S11和S22均小于-10 dB。包含偏置电路功耗在内,芯片功耗仅21 mW,优于其他同等噪声系数的K频段SiGe BiCMOS LNA。该LNA可应用于卫星通信等K频段低功耗接收机系统。 相似文献
322.
结合星载电子设备小型化低功耗的发展趋势,给出了基于 AD607芯片的小型化低功耗接收信道的设计方案,重点介绍了关键指标的实现方法.测试结果表明,与传统设计相比,功耗降低了50%,体积减小了40%,提高了整机的性能和可靠性. 相似文献
323.
如今的移动通信网络是由多种制式及多个频段融合而成的多模网络,对于商用终端而言,多种难题交织在一起,其中待机时长是必须要解决的一个关键问题。为此,不同于传统增大电池容量的方法,采用降低待机功耗的策略:时域的时隙控制、频域的电流控制、睡眠和唤醒的电源门控制、低频时钟高频化,其中高频时钟校准低频时钟是降低睡眠态功耗的关键措施。这一系列方案的实施,使得终端在多模实际网络环境下的待机电流小于5 mA,终端的待机低功耗达到了有竞争力的商用水平。 相似文献
324.
325.