波音737飞机扰流板无法收到位的故障分析

本文主要对波音737飞机运行中出现的典型的扰流板故障进行分析,根据故障现象依据维护手册,并结合以往经验,对故障相关部位进行逐一排查,发现故障源所在,更换部件。最后对故障进行了分析和经验总结。     

一种高频谱纯度的C频段宽带频率合成器设计

为了提高频综的频谱纯度，提出了一种新型多级子谐波混频锁相环的设计方法,研制了一款超低相噪频综。介绍了该频综的设计方案，分析了关键技术，仿真和论证了相位噪声和杂散抑制等主要指标，最后对该频综进行了研制和实际测试。测试结果如下：工作频率为4 500~7 600 MHz，频率步进小于1 kHz，相位噪声优于-123 dBc/Hz@25 kHz，频率切换速度小于75 μs，杂散抑制大于70 dB，均满足设计要求，设计方案比较合理可行。采用该方法设计的频综具有小步进、低相噪、换频速度快、低杂散等特点，可用于高性能电子战接收机中，具有广阔的应用前景。     

牙膏制膏机的现状及发展趋势

文章简述国内外牙膏制膏机的现状，分析牙膏制膏机采用底部均质、外循环方式、特殊搅拌器形状设计、生产过程全自动化控制的技术优势，提出该类型制膏机代表了一种技术发展趋势，具有推广应用价值。     

采用次谐波混频技术的毫米波超宽带混频器研制

提出了一种次谐波混频技术结合宽带匹配滤波电路的设计方法,能有效降低本振源的制作难度,并可扩展中频带宽。应用高频场仿真软件以及谐波平衡仿真软件,研制了两个频段的超宽带次谐波混频器。测试结果：K频段混频器,固定本振频率15 GHz,射频频率在18～26.5 GHz的频带内变化时,变频损耗小于10.7 dB,最小变频损耗为7.5 dB;Ka频段混频器,固定本振频率22 GHz,射频频率在26.5～40 GHz的频带内变化时,变频损耗小于11.5 dB,最小变频损耗为8 dB。测试结果指标与传统的双平衡混频器指标相当,证明了电路设计方案的正确性。     

带温漂补偿的小型化毫米波单脉冲雷达接收前端

介绍一种用于非相参雷达导引头的毫米波接收前端小型化低温漂设计技术。采用多芯片混合集成电路和镜频抑制混频器技术,设计了一种小型化三通道高放混频接收前端。针对非相参雷达特点,对接收机本振采用频率漂移的温度补偿技术,保证了全温范围内接收机对信号频率的稳定跟踪。测试结果表明,接收前端噪声系数低于4.0 dB,镜频抑制大于25 dB,全温范围内温度漂移小于0.6 MHz/℃。     

Ka频段宽带镜频抑制谐波混频器的设计

介绍了一种在Ka频段具有镜频抑制功能的四次谐波混合集成电路混频器的设计与实现.该混频器主要采用微带混合集成电路,由薄膜陶瓷基片制作.经测试,当中频固定在70 MHz,在射频大于4 GHz带宽内,变频损耗小于11.2 dB,镜频抑制度大于20 dB.     

小型化三耦合线Marchand巴伦的等效模型分析与验证

为了实现三耦合线Marchand巴伦的快速设计，缩小巴伦的尺寸，提出了一种简化的三耦合线Marchand 巴伦等效模型及小型化设计方法。该等效模型将复杂的三耦合线的S参数散射矩阵的计算问题简化为对两个并联的平行耦合线的S参数散射矩阵的计算。为了验证该模型和设计方法的有效性，采用0.1 μm 砷化镓pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)工艺制作了一款75~110 GHz的单平衡混频芯片，最终应用于单平衡混频器的巴伦耦合线长度被缩减为中心频率1/4波长的44%。良好的混频器性能和紧凑的芯片面积证明了所提三耦合线巴伦的等效模型和设计方法能够为单片集成微波电路芯片的设计提供指导作用。     

红钢转炉二次除尘及混铁炉除尘工艺

根据烟气的特性，在转炉炉前、炉后设置捕集点，对二次烟气进行捕集；在混铁炉兑铁口和出铁口设置捕集点，对混铁炉烟气进行捕集。除尘系统采用负压操作，自动控制，经除尘后排放烟气低于国家排放标准，操作场地含尘量符合国家卫生标准。     

W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计

基于自主研发GaAs肖特基二极管（SBD）设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频（RF）信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示,80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT（赝晶型高电子迁移率晶体管）混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。     

TD-LTE多带宽数字下变频设计与FPGA实现

分时长期演进(TD-LTE)系统为了满足各种环境的需要,支持6种不同的带宽和基带速率。为了满足TD-LTE系统多带宽和多速率的要求,设计了一种兼容TD-LTE多带宽和多速率的多带宽数字下变频方案。方案中采用了时分复用技术、抽取滤波的合理搭配和高性能滤波器实现了资源优化和输出信号的高信噪比。此外,对数字混频器和抗混叠滤波器进行改进,设计出了基于坐标旋转数字计算法(CORDIC)的流水线型混频器和高速并行可配置滤波器。软件仿真和硬件测试证明了TD-LTE多带宽数字下变频的正确性,且具有灵活性、高性能和低资源消耗的特点以及较高的工程实用价值。