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贸易经济
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1996年
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1
1.
SiC功率器件
张玉明
张义门
罗晋生
《电子商务》
1996,(11)
本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ（碳化硅）的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ和ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势
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